Двухлучевой микроскоп Helios Nanolab

Фото продукции
  • Описание
  • Технические характеристики
  • Видео
  • Скачать
В двухлучевой системе Helios реализованы новейшие достижения в области автоэмиссионных SEM (FESEM), фокусированного ионного пучка (FIB) и совместного использования этих технологий. Helios NanoLab специально разрабатывался как инструмент, позволяющий максимально широко использовать возможности сверхвысокого разрешения (XHR) при выполнении 2D- и 3D-анализа, создании нанопрототипов и подготовке образцов высочайшего
качества. Технология Elstar™ FESEM обеспечивает наилучшую детализацию в нанометровом диапазоне в самых разных рабочих режимах: точность значительно ниже 1 нм достигается как при 30 кВ в режиме STEM для получения информации о структуре, так и при 500 В для беззарядного получения детальных данных о поверхности. предусмотрена тройная система детектирования внутри колонны и режим иммерсии, которые могут использоваться одновременно для формирования изображений SE и BSE (вторичных и обратноотражённых электронов) в зависимости от угла и энергии пучка.
Особенности FESEM-колонна Elstar с иммерсионной линзой сверхвысокого разрешения
• Электронная пушка Elstar, в том числе:
- Термополевой эмиттер Шоттки
- Возможность переключения между режимами без нарушения вакуума
- Технология UC (монохроматор)
• Диапазон энергии пучка у поверхности образца 20 В – 30 кВ
• 60° объектив с двумя линзами с защитой полюсного наконечника
• Нагреваемые апертуры объектива
• Электростатическое сканирование
• Технология линзы с постоянной мощностью ConstantPower™
• Торможение пучка с подачей потенциала на предметный столик от 0 В до –4 кВ
• Интегрированная функция быстрого гашения (бланкера) пучка*
Ионная колонна Tomahawk
• Превосходные характеристики при работе на высоком токе с макс. током пучка до 65 нА
• Диапазон ускоряющего напряжения 500 В – 30 кВ
• Двухступенчатая дифференциальная откачка.
• Времяпролётная коррекция (TOF)
• 15 апертур
Срок службы источника
• Срок службы источника электронов: 12 месяцев
• Срок службы источника ионов: гарантия 1000 часов
Разрешение ионного пучка в точке пересечения
• 4,0 нм при 30 кВ с использованием предпочтительного статистического метода
• 2,5 нм при 30 кВ с использованием
Максимальная ширина горизонтального поля
• Электронный пучок: 2,3 мм в точке совпадения пучка (рабочее расстояние 4 мм)
• Ионный пучок: 0,9 мм при 8 кВ в точке совпадения пучка
Ток зонда
• Электронный пучок: от 0,8 пA до 22 нА (CX); от 0,8 пA до 100 нА (UC);
• Ионный пучок: 0,1 пA – 65 нA (апертурная полоса с 15 положениями)
Характеристики электронной пушки Для UC на оптимальной рабочей дистанции
- 0.6 нм at 30 кВ STEM
- 0.7 нм at 1 кВ
- 1.0 нм at 500В (ICD) 
· В точке пересечения:
- 0.6 нм at 15 кВ
- 1.2 нм at 1 кВ
Для CX на оптимальной рабочей дистанции
- 0.7 нм at 30 кВ STEM
- 0.8 нм at 15 кВ
- 1.4 нм at 1 кВ
· В точке пересечения:
- 0.8 нм at 15 кВ
- 2.5 нм at 1 кВ
Предметный столик Вцентрический гониометрический высокоточный моторизованный по 5 осям предметный столик
Перемещение в плоскости XY: 110x110 мм (150x150 UC)
Воспроизводимость результатов: Моторизованное перемещение по оси Z: 65 мм (10 мм UC)
Поворот: n x 360°
Наклон: -15° / +75° (-10° … +60° UC)
Максимальная высота образца: Расстояние 85 мм до точки Вцентрика (55 мм UC)
Максимальный вес образца: 500 г при любом положении предметного столика (до 2 кг при наклоне 0°)
Максимальный размер образца: Ø150 мм при полном вращении (для образцов большего размера вращение ограничено)
Рабочая камера • Точка схождения ионного и электронного пучков на аналитическом рабочем расстоянии (4 мм SEM)
• Угол между колоннами ионов и электронов: 52°
• 21 порт
• Размер по горизонтали: 379 мм
Детекторы • Внутрилинзовый SE/BSE детектор Elstar (TLD-SE, TLD-BSE)
• SE-детектор Elstar в колонне (ICD)
• ВSE-детектор Elstar в колонне (MD)
• Детектор Венхарда — Торнли SE (ETD)
• ИК-камера для контроля изображения образца/колонны
• Встроенная в камеру Nav-Cam+™ *
• Высокоэффективный детектор конверсии ионов и электронов (ICE) для вторичных ионов (SI) и электронов (SE)*.
• Выдвижной низковольтный высококонтрастный твердотельный детектор обратноотражённых электронов (DBS) *
• Выдвижной STEM детектор с сегментами BF/DF/HAADF*
• Интегрированные измерения тока пучка
Вакуумная система • 1 x 210 л/с турбомолекулярный насос
• 1 × PVP (сухой насос)
• 4 × IGP (всего для электронной колонны и ионной колонны).
• Вакуум в камере:
Дополнительные аналитические возможности • Анализ: EDS, EBSD, WDS, катодолюминесценция и спектроскопия
• QuickLoader™: загрузочный шлюз для быстрого переноса образца
• Модуль Electron Beam Lithography: комплекты компаний Raith, Nabity или других поставщиков
• Решение для работы при низких температурах для двухлучевой технологии DualBeam
- Эксклюзивная технология компании FEI CryoMAT для исследования материалов при низких температурах
- Решения от внешних поставщиков
• GIS (система инжекции газа) – решения:
- Простая GIS: до 5 независимых устройств для расширенного травления или осаждения
- MultiChem™: до 6 устройств инжекции в одном блоке для усовершенствованного травления или осаждения
• GIS – опции химического воздействия**
- Осаждение платины
- Осаждение вольфрама
- Осаждение углерода
- Осаждение изоляционного материала II
- Осаждение золота
- Расширенная функция травления Etch™ (иод, запатентовано)
- Расширенная функция травления изоляционного материала (XeF2)
- Формирование изображения по технологии Etch™ (запатентовано)
- Селективное травление углерода (запатентовано)
- Пустые тигли для согласованных с FEI материалов, поставляемых пользователем
- По заказу возможны другие средства химического воздействия с помощью электронного пучка
Управление системой • 64-битный графический интерфейс пользователя с Windows 7, клавиатура, оптическая мышь
• До пяти «живых» изображений, независимо показывающих пучки и/или сигнал с разных детекторов. Микширование цветовых сигналов
• Два 24-дюймовых широкоэкранных монитора (1920×1200 пикселей) для отображения системного графического пользовательского интерфейса и полноэкранного изображения
• Для управления микроскопом и вспомогательным ПК достаточно одной клавиатуры и мыши
•  Джойстик*
• Мультифункциональная панель управления*
•  Дистанционное управление*
Получение изображений • Время выполнения операции 0,025–25 000 мкс/пиксель
• До 6144 x 4096 пикселей
• Тип файла: TIFF (8, 16, 24-битный), BMP или JPEG
• Однокадровое изображение или изображение в четырёх квадрантах
• SmartSCAN™ (256 кадров усреднения или накопления, линейного интегрирования и усреднения, чересстрочной развёртки) и DCFI (интегрирование кадра с компенсацией смещения)
Доступные программные функции Пакет AutoFIB™ для автоматизации работы двулучевой системы DualBeam на базе макросов и скриптов
• iFast для повышения уровня автоматизации двулучевой системы DualBeam
• MAPS™ для автоматического получения больших изображений
• Мастер AutoTEM™ для автоматизированной подготовки образцов и поперечного сечения
• NanoBuilder™ — усовершенствованное приложение на основе (GDSII) решений CAD для нанопрототипирования с помощью FIB и лучевого осаждения сложных структур
• Auto Slice & View™: автоматизированная ионная резка и просмотр для сбора серий срезов для трёхмерной реконструкции
• EBS3™: автоматизированная ионная резка и получение EBSD-карт для сбора серий текстурных или ориентационных карт для трёхмерной реконструкции
• EDS3™: автоматизированная ионная резка и получение EDS-данных для сбора серий химических карт для трёхмерной реконструкции
• Программное обеспечение трёхмерной реконструкции
• Навигация Knights Technology CAD
• Программное обеспечение доступа к веб-архиву д
Системные опции Источник ионов - плазменная пушка ПФИП
-- Используются ионы Xe+ , время работы источника  >4000 часов
-- Сила тока плазменного пучка от 1.5пА да 1.3 мА
Напряжение:
-- 2 кВ - 30 кВ ПФИП
• Звукоизолирующий корпус FEI
• Встроенная система плазменной очистки
• FEI CryoCleaner*
• Манипуляторы:
- Запатентованная система локального подъёма образца FEI EasyLift™ + Hitachi In Situ (или другие манипуляторы) для подготовки тонких образцов
- По заказу доступны другие манипуляторы
• Нейтрализатор заряда пучка FIB
Требования по установке  Частота 50 или 60 Гц +/- 1%
• Потребляемая мощность: • Сопротивление заземления: • Окружающая среда:
- температура 20 °C ± 3 °C
- относительная влажность менее 80%, 20 °C
- магнитные поля рассеяния по переменному току: асинхронные 20 мс (сеть питания 50 Гц) или > 17 мс (сеть питания 60 Гц)
• Рекомендуемая ширина x высота дверного проёма:
0,9 м × 2,0 м.
• Вес: консоль колонны 950 кг
• Сухой азот
• Сжатый воздух: 4–6 бар — чистый, сухой, безмасляный
• Охладитель системы
• Уровень шума: требуется обследование места установки, поскольку должен учитываться акустический спектр
• Виброизоляционный стол поставляется по дополнительному заказу
Похожая продукция
Центральный офис в г. Москва +7 (495) 781-07-85 info@melytec.ru Детальный просмотр
Филиал в г. Санкт-Петербург +7 (812) 380-84-85 infospb@melytec.ru Детальный просмотр
Филиал в г. Екатеринбург +7 (343) 287-12-85 infoural@melytec.ru Детальный просмотр
Филиал в г. Киев +38 (044) 454-05-90 infoua@melytec.ru Детальный просмотр
Филиал в г. Tallinn +372 5620-3281 info@melytec.ee Детальный просмотр