Двулучевой микроскоп Helios

В двулучевых системах Helios реализованы новейшие технологические решения в области автоэмиссионных СЭМ (FESEM), сфокусированного ионного пучка (FIB) и совместного использования этих технологий. Helios разрабатывался как инструмент, позволяющий максимально широко использовать возможности сверхвысокого разрешения при выполнении 2D- и 3D-анализа материалов, создании и доводке нанопрототипов, реинжиниринге и подготовке ПЭМ-образцов высочайшего качества. Технология Elstar™ FESEM обеспечивает наилучшую детализацию в нанометровом диапазоне в самых разных рабочих режимах. Достижимо разрешение (значительно лучше 1 нм), которое может использоваться для получения как детальных данных о структуре и морфологии поверхности, так и информации о структуре материалов в режиме просвечивающей микроскопии (STEM). Использование технологии UC+ с монохроматором, а также режим иммерсии позволяют работать с экстремальными увеличениями при малых ускоряющих напряжениях (до 500В) и получать детальные данные о структуре и морфологии поверхностного слоя. Внутри колонны и линзы расположены системы для детектирования электронов с различными углами вылета и значениями энергий, которые могут раздельно или одновременно использоваться для формирования изображений во вторичных и обратно-отражённых электронах. Системы автоматизации и специализированное программное обеспечение делает работу на приборе максимально удобной и эффективной.

Если исследования связаны с большими по площади и объему объектами исследования, для травления которых требуется большое количество времени или же травление ионами Ga+ невозможно, модификация Helios Hydra с несколькими видами ионов и с запатентованной автоматической быстрой системой переключения станет идеальным решением. Технология DualBeam c уникальной плазменной колонной PFIB, позволяющая использовать четыре вида ионов (Xe+, Ar+, O+, N+) в качестве первичного пучка и обладающая невероятной скоростью травления в совокупности с высокой точностью, даёт возможность исследователю быстро и легко получить достоверную информацию самого высокого качества о структуре объектов и материалов в нанометровом масштабе, в том числе в объёме, а также прецизионно готовить образцы для ПЭМ высочайшего качества.

Тип микроскопа Двухлучевая система
Тип образцов Металлы, Микроэлектроника, Минералы, Непроводящие
Разрешение от 0.6
Разрешение до 30
Область сканирования от 0
Область сканирования до 150
Особенности FESEM-колонна Elstar с иммерсионной линзой сверхвысокого разрешения
• Электронная пушка Elstar, в том числе:
— Термополевой эмиттер Шоттки
— Возможность переключения между режимами без нарушения вакуума
— Технология UC (монохроматор)
• Диапазон энергии пучка у поверхности образца 20 В — 30 кВ
• 60° объектив с двумя линзами с защитой полюсного наконечника
• Нагреваемые апертуры объектива
• Электростатическое сканирование
• Технология линзы с постоянной мощностью ConstantPower™
• Торможение пучка с подачей потенциала на предметный столик от 0 В до —4 кВ
• Интегрированная функция быстрого гашения (бланкера) пучка*
Ионная колонна Tomahawk
• Превосходные характеристики при работе на высоком токе с макс. током пучка до 65 нА
• Диапазон ускоряющего напряжения 500 В — 30 кВ
• Двухступенчатая дифференциальная откачка.
• Времяпролётная коррекция (TOF)
• 15 апертур
Срок службы источника
• Срок службы источника электронов: 12 месяцев
• Срок службы источника ионов: гарантия 1000 часов
Разрешение ионного пучка в точке пересечения
• 4,0 нм при 30 кВ с использованием предпочтительного статистического метода
• 2,5 нм при 30 кВ с использованием
Максимальная ширина горизонтального поля
• Электронный пучок: 2,3 мм в точке совпадения пучка (рабочее расстояние 4 мм)
• Ионный пучок: 0,9 мм при 8 кВ в точке совпадения пучка
Ток зонда
• Электронный пучок: от 0,8 пA до 22 нА (CX); от 0,8 пA до 100 нА (UC);
• Ионный пучок: 0,1 пA — 65 нA (апертурная полоса с 15 положениями)
Характеристики электронной пушки Для UC на оптимальной рабочей дистанции
— 0.6 нм at 30 кВ STEM
— 0.7 нм at 1 кВ
— 1.0 нм at 500В (ICD)
· В точке пересечения:
— 0.6 нм at 15 кВ
— 1.2 нм at 1 кВ
Для CX на оптимальной рабочей дистанции
— 0.7 нм at 30 кВ STEM
— 0.8 нм at 15 кВ
— 1.4 нм at 1 кВ
· В точке пересечения:
— 0.8 нм at 15 кВ
— 2.5 нм at 1 кВ
Предметный столик Вцентрический гониометрический высокоточный моторизованный по 5 осям предметный столик
Перемещение в плоскости XY: 110×110 мм (150×150 UC)
Воспроизводимость результатов: Моторизованное перемещение по оси Z: 65 мм (10 мм UC)
Поворот: n x 360°
Наклон: −15° / +75° (-10° ... +60° UC)
Максимальная высота образца: Расстояние 85 мм до точки Вцентрика (55 мм UC)
Максимальный вес образца: 500 г при любом положении предметного столика (до 2 кг при наклоне 0°)
Максимальный размер образца: Ø150 мм при полном вращении (для образцов большего размера вращение ограничено)
Детекторы • Внутрилинзовый SE/BSE детектор Elstar (TLD-SE, TLD-BSE)
• SE-детектор Elstar в колонне (ICD)
• ВSE-детектор Elstar в колонне (MD)
• Детектор Венхарда — Торнли SE (ETD)
• ИК-камера для контроля изображения образца/колонны
• Встроенная в камеру Nav-Cam+™ *
• Высокоэффективный детектор конверсии ионов и электронов (ICE) для вторичных ионов (SI) и электронов (SE)*.
• Выдвижной низковольтный высококонтрастный твердотельный детектор обратноотражённых электронов (DBS) *
• Выдвижной STEM детектор с сегментами BF/DF/HAADF*
• Интегрированные измерения тока пучка
Подробнее

Фото продукции

Похожая продукция